SJA30-20D1霍尔传感器24VCDM30
霍尔开关,霍尔式接近开关:SJA12-10P1 常开型(NO)和常闭型(NC)的区别: 一,常开(NO)是平常状态下信号输出线为断开状态,无信号输出,当感应到物体时才闭合,输出信号。二,常闭(NC)是平常状态下信号输出线为闭合状态,持续信号输出,当感应到物体时才断开,关闭信号。
SJA30-20D1霍尔传感器24VCDM30
品名:霍尔传感器(磁性感应)
外形:直径30毫米圆柱体
检测距离:10毫米(mm)
工作电压:直流C6-36V
SJA30-201
JA、SJM霍尔式 产品说明书下载产品说明: 产品型号:SJM8、SJM12、SJA12、FC-1 工作电压:直流: C6~36V或C12V、C24V 交流: AC90V~250V 输出类型:NPN、PNP型、交流二线、直流二线 安装方式:非埋入式 输出状态:常开、常闭 检测物体:磁性金属(如磁铁)
YJJ1-LJM8-1.5N1/N2/P1/P2 YJJ1-LJM8M-2N1/N2/P1/P2 YJJ1-LFM10-2N1/2N2/2N4 YJJ1-LJM12-5N1/5N2/5N4 YJJ1-LJM18-5N1/5N2/5N4 YJJ1-LJM18M-10N1/10N2/10N4
SJA30-201
YJJ1-LJM30-10N1/10N2/10N4
YJJ1-LJM30M-18N1/18N2/18N4
YJJ1-LJM24-8N1/N2/N4
YJJ1-LJM24M-10N1/10N2/10N4
YJJ1-LJM38-18N1/N2/N4
YJJ1-LJM40M-20N1/20N2/20N4
YJJ1-LJM48M-25N1/25N2/25N4
YJJ1-LJA6.5-1.5N1 YJJ1-LJA6.5M-2N1 YJJ1-LJA8-1.5N1/N2
YJJ1-LJA8M-2N1/N2 YJJ1-LJA12-2N1/2N2/2N4
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YJJ1-LJA14-2N1/2N2/2N4 YJJ1-LJA14M-5N1/5N2/5N4 YJJ1-LJA18-5N1/5N2/5N4
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YJJ1-LJA30-10N1/N2 YJJ1-LJA42M-18N1/18N2
SJA30-201
YJJ1-PS05N/05N2 YJJ1-PS-08N/08N2
YJJ1-PL-05N-N2 YJJ1&mash;PL-08N/08N2
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YJJ1-LJE30-10N1/N2 YJJ1-LJE40M-20N1/N2
SJA30-201
YJJ1-LJB12M-4N1 YJJ1-LJB12M-4N1U/N2U
YJJ1-LJB25M-5N1/5N2 YJJ1-LJB25M-5N1/5N2 YJJ1=LJB3-0M-10N1/10N2 JK-LJB30M-15N1/15N2
YJJ1-LJB40M-20N1/20N2 YJJ1-LJ-36M-15N1/15N2
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YJJ1-LJ-48M-20N1/20N2 YJJ1-LJP55M-25N1/25N2 YJJ1-LJP80M-40N1/40N2
YJJ1-LJP100M-50N1 YJJ1-LJ-140M-70N1
YJJ1-LJP210M-100N1 YJJ1-TL-W5MC1
YJJ1-TL-W5E1 YJJ1-TL-W10E1
YJJ1-LJP120M-40N1 YJJ1-JWK-A5P
YJJ1-JWK-5P
由霍尔效应的原理知,霍尔电势的大小取决于:Rh为霍尔常数,它与半导体材质有关;I为霍尔元件的偏置电流;B为磁场强度;d为半导体材料的厚度。
对于一个给定的霍尔器件,当偏置电流 I 固定时,UH将*取决于被测的磁场强度B。
一个霍尔元件一般有四个引出端子,其中两根是霍尔元件的偏置电流 I 的输入端,另两根是霍尔电压的输出端。如果两输出端构成外回路,就会产生霍尔电流。一般地说,偏置电流的设定通常由外部的基准电压源给出;若精度要求高,则基准电压源均用恒流源取代。为了达到高的灵敏度,有的霍尔元件的传感面上装有高导磁系数的镀膜合金;这类传感器的霍尔电势较大,但在0.05T左右出现饱和,仅适用在低量限、小量程下使用。
在半导体薄片两端通以控制电流I,并在薄片的垂直方向施加磁感应强度为B的匀强磁场,则在垂直于电流和磁场的方向上,将产生电势差为UH的霍尔电压。
磁场中有一个霍尔半导体片,恒定电流I从A到B通过该片。在洛仑兹力的作用下,I的电子流在通过霍尔半导体时向一侧偏移,使该片在CD方向上产生电位差,这就是所谓的霍尔电压。
霍尔电压随磁场强度的变化而变化,磁场越强,电压越高,磁场越弱,电压越低,霍尔电压值很小,通常只有几个毫伏,但经集成电路中的放大器放大,就能使该电压放大到足以输出较强的信号。若使霍尔集成电路起传感作用,需要用机械的方法来改变磁感应强度。下图1所示的方法是用一个转动的叶轮作为控制磁通量的开关,当叶轮叶片处于磁铁和霍尔集成电路之间的气隙中时,磁场偏离集成片,霍尔电压消失。这样,霍尔集成电路的输出电压的变化,就能表示出叶轮驱动轴的某一位置,利用这一工作原理,可将霍尔集成电路片用作用点火正时传感器。霍尔效应传感器属于被动型传感器,它要有外加电源才能工作,这一特点使它能检测转速低的运转情况。
霍尔效应传感器
1-霍尔半导体元件 2-永磁铁 3-挡隔磁力线的叶片
霍尔效应从本质上讲是运动的带电粒子在磁场中受洛仑兹力作用引起的偏转。当带电粒子(电子或空穴)被约束在固体材料中,这种偏转就导致在垂直电流和磁场的方向上产生正负电荷的聚积,从而形成附加的横向电场。对于图2所示的半导体试样,若在X方向通以电流Is,在Z方向加磁场B,则在Y方向即试样A,A′电极两侧就开始聚积异号电荷而产生相应的附加电场。电场的指向取决定于测试样品的电类型。显然,该电场是阻止载流子继续向侧面偏移,
当载流子所受的横向电场力eEH与洛仑兹力相等时,样品两侧电荷的积累就达到平衡,故有
⑴
其中EH为霍尔电场,V是载流子在电流方向上的平均漂移速度。设试样的宽为b,厚度为d,载流子浓度为n,则
⑵
由⑴、⑵两式可得
⑶
即霍尔电压VH(A、A′电极之间的电压)与ISB乘积正比与试样厚度d成反比。比例系数 称为霍尔系数,它是反映材料霍尔效应强弱的重要参数,只要测出 VH(伏)以及知道IIs(安)、B(高斯)和d(厘 米)可按下式计算RH(厘米3/库仑)
YJJ1-JWK-A10P/10P YJJ1-LJT33M-8M1
YJJ1-LJT40M-10N1 YJJ1-LJT50M-20N1
YJJ1-LJT55M-25N1 YJJ1-LJT80M-40N1
YJJ1-LJS60M-2N1 YJJ1-LJS45M-5N1
YJJ1-TL-T2E1 YJJ1-TL-T5ME1 YJJ1-TL-M5ME1
YJJ1-SJM8-8N1 YJJ1-SJM12-10N1
YJJ1-SJA12-10N1 YJJ1-FC-1 YJJ1--C73
YJJ1-SJM8-8P1 YJJ1-CJM18M-8N1 JC-CJM24M-10N1 YJJ1-CJM30M-15N1
YJJ1-E3F-S5C1 YJJ1-E3F-2C1 YJJ1-E3F-S10C1
YJJ1-E3F-R2C1 YJJ1-E3F-5C1
YJJ1-E3F-R4C1 YJJ1-E3F-10C1 YJJ1-E3FJ-S10C1
YJJ1-E3FJ-R2C1 YJJ1-E3JK-S3-M1
YJJ1-E3JK-S3-M2 YJJ1-E3JK-R2M1/M2
YJJ1-E3JK-R4M1 YJJ1-E3JK-5M1 YJJ1-E3JM-S70M4 YJJ1-E3JM-R4M4/A4 YJJ1-E3JM-5M4 YJJ1-V-80 YJJ1-VR-500 YJJ1-VT-2000 YJJ1-E3T-S80A
YJJ1-E35S-R4A YJJ1-E35TS-5A YJJ1-E3KG-S70A
YJJ1-E3KG-R4A YJJ1-E3KG-10A YJJ1-E3A-R2C1
YJJ1-E3A-5C1 YJJ1-E3B-S30C1 YJJ1-E3B-R2C1
YJJ1-E3B-3C1 YJJ1-E3C-5C1 YJJ1-E3S-S30C1
YJJ1-E3S-R2C1 YJJ1-E3S-5C1 YJJ1-E3G1-S3-C1 YJJ1-E3G1-R2C1 YJJ1-E3G1-5C1 YJJ1-E3G2-S50C1
YJJ1-E3E1-S3-C1 YJJ1-E31-R2C1 YJJ1-E3E1-3C1 YJJ1-E3E1-R4C1 YJJ1-E3E1-5C1
YJJ1-E3H-S10C1 YJJ1-E3H-R2C1 YJJ1-E3H-5C1
YJJ1-E3N-S1-C1 YJJ1-E3N-R2C1 YJJ1-E3N-3C1
YJJ1-E3L-S50C1 YJJ1-E3L-R4C1 YJJ1-E3L-5C1
YJJ1-3Z-S50C1
YJJ1-SU-07X YJJ1-SU-07XB YJJ1-SU-07X-
YJJ1-SU-07XPB YJJ1-E3S-GS30C1 YJJ1-ES-GS30C2 YJJ1-E3S-GS30B1 YJJ1-E3S-GS30B2 YJJ1-JG-2
YJJ1-YT-522B
YJJ1-G-GH050WYJJ1-GK-5/10 YJJ1-YT-523
YJJ1-YT-523B
反射板:T-01B T-02 T-03 TK-05 R-08