霍尔传感器KHW-08B直径M12X1J电压24V

霍尔传感器KHW-08B直径M12X1J电压24V 检测距离mm 检测方式 电源电压VC 负载电流mA 输出类型 响应频率KHz 外形尺寸mm

霍尔传感器KHW-08B直径M12X1J电压24VKHP-01B 8 磁铁 10-30 200 PNP NO 50 M8*33 KHP-02B 8 磁铁 10-30 200 PNP自锁 50 M8*33 KHP-03A 8 磁铁 10-30 20 NPN NO 50 M8*33 KHP-04A 8 磁铁 10-30 20 NPN自锁 50 M8*33 KHP-06B 8 磁铁 10-30 200 NPN常闭 50 M8*33

KHO-01B 8 磁铁 4-24 200 PNP NO 50 M8*33 KHO-02B 8 磁铁 4-24 200 PNP自锁 50 M8*33 KHO-03A 8 磁铁 4-24 20 NPN NO 50 M8*33 KHO-04A 8 磁铁 4-24 20 NPN自锁 50 M8*33 KHO-06B 8 磁铁 4-24 200 NPN常闭 50 M8*33 KHM-03A 8 磁铁 4-24 20 NPN常开 50 M6*25/M8*15 KHM-04A 8 磁铁 4-24 20 NPN自锁 50 M6*25/M8*15 KHN-03A 8 磁铁 10-30 20 NPN常开 50 M6*25/M8*15 KHN-04A 8 磁铁 10-30 20 NPN自锁 50 M6*25/M8*15 KHL-01B-C 8 磁铁 4-15 200-400 PNP NO 50 M12*42 KHL-02B-C 8 磁铁 4-15 200-400 PNP自锁 50 M12*42 KHL-03B-C 8 磁铁 4-15 200-400 NPN NO 50 M12*42 KHL-04B-C 8 磁铁 4-15 200-400 NPN 自锁 50 M12*42

原理编辑由霍尔效应的原理知，霍尔电势的大小取决于：Rh为霍尔常数，它与半导体材质有关；I为霍尔元件的偏置电流；B为磁场强度；d为半导体材料的厚度。对于一个给定的霍尔器件，当偏置电流 I 固定时，UH将*取决于被测的磁场强度B。霍尔效应霍尔效应一个霍尔元件一般有四个引出端子，其中两根是霍尔元件的偏置电流 I 的输入端，另两根是霍尔电压的输出端。如果两输出端构成外回路，就会产生霍尔电流。一般地说，偏置电流的设定通常由外部的基准电压源给出；若精度要求高，则基准电压源均用恒流源取代。为了达到高的灵敏度，有的霍尔元件的传感面上装有高导磁系数的镀膜合金；这类传感器的霍尔电势较大，但在0.05T左右出现饱和，仅适用在低量限、小量程下使用。在半导体薄片两端通以控制电流I，并在薄片的垂直方向施加磁感应强度为B的匀强磁场，则在垂直于电流和磁场的方向上，将产生电势差为UH的霍尔电压。KHL-05B-C 8 磁铁 4-15 200-400 PNP NC 50 M12*42 KHL-06B-C 8 磁铁 4-15 200-400 NPN NC 50 M12*42 KHL-07B-C 8 磁铁 4-15 200-400 PNP初开自锁 50 M12*42 KHL-08B-C 8 磁铁 4-15 200-400 NPN初开自锁 50 M12*42 KHL-09B-C 8 磁铁 4-15 20-200 两线常开 50 M12*42

作原理编辑磁场中有一个霍尔半导体片，恒定电流I从A到B通过该片。在洛仑兹力的作用下，I的电子流在通过霍尔半导体时向一侧偏移，使该片在CD方向上产生电位差，这就是所谓的霍尔电压。霍尔电压随磁场强度的变化而变化，磁场越强，电压越高，磁场越弱，电压越低，霍尔电压值很小，通常只有几个毫伏，但经集成电路中的放大器放大，就能使该电压放大到足以输出较强的信号。若使霍尔集成电路起传感作用，需要用机械的方法来改变磁感应强度。下图1所示的方法是用一个转动的叶轮作为控制磁通量的开关，当叶轮叶片处于磁铁和霍尔集成电路之间的气隙中时，磁场偏离集成片，霍尔电压消失。这样，霍尔集成电路的输出电压的变化，就能表示出叶轮驱动轴的某一位置，利用这一工作原理，可将霍尔集成电路片用作用点火正时传感器。霍尔效应传感器属于被动型传感器，它要有外加电源才能工作，这一特点使它能检测转速低的运转情况。霍尔效应传感器KHW-01B-C 8 磁铁 14-30 200-400 PNP NO 50 M12*42 KHW-02B-C 8 磁铁 14-30 200-400 PNP自锁 50 M12*42 KHW-03B-C 8 磁铁 14-30 200-400 NPN NO 50 M12*42 KHW-04B-C 8 磁铁 14-30 200-400 NPN 自锁