产品时间：2021-04-14
HR-M12-N4AO本安型霍尔传感器，伴随着城市人口和建设规模的扩大，各种用电设备的增加，用电量是越来越大了。因此，电源问题的重要性日益凸显出来。在21世纪的电源技术中，传感器也将发挥着至关重要的作用。
武汉杭荣HR-M12-N4AO本安型霍尔传感器
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HR-M12-N4AO｜使用说明书
如图所示，磁场中有一个霍尔半导体片，恒定电流I从A到B通过该片。在洛仑兹力的作用下，I的电子流在通过霍尔半导体时向一侧偏移，使该片在C方向上产生电位差，这就是所谓的霍尔电压。
霍尔电压随磁场强度的变化而变化，磁场越强，电压越，磁场越弱，电压越。霍尔电压值很小，通常只有几个毫伏，但经集成电路中的放大器放大，就能使该电压放大到足以输出较强的信号。若使霍尔集成电路起传感作用，需要用机械的方法来改变磁场强度。下图所示的方法是用一个转动的叶轮作为控制磁通量的开关，当叶轮叶片处于磁铁和霍尔集成电路之间的气隙中时，磁场偏离集成片，霍尔电压消失。这样，霍尔集成电路的输出电压的变化，就能表示出叶轮驱动轴的某一位置，利用这一工作原理，可将霍尔集成电路片用作用点火正时传感器。霍尔效应传感器属于被动型传感器，它要有外加电源才能工作，这一特点使它能检测转速的运转情况。
霍尔效应传感器
1-霍尔半导体元件2-*磁铁3-挡隔磁力线的叶片
AC：90-250V
