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本安型霍尔传感器

产品时间:2021-04-14

简要描述:

HR-M12-N4AO本安型霍尔传感器,伴随着城市人口和建设规模的扩大,各种用电设备的增加,用电量是越来越大了。因此,电源问题的重要性日益凸显出来。在21世纪的电源技术中,传感器也将发挥着至关重要的作用。

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HR-M12-N4AO|使用说明书

霍尔效应传感器工作原理

如图所示,磁场中有一个霍尔半导体片,恒定电流I从A到B通过该片。在洛仑兹力的作用下,I的电子流在通过霍尔半导体时向一侧偏移,使该片在C方向上产生电位差,这就是所谓的霍尔电压。
霍尔电压随磁场强度的变化而变化,磁场越强,电压越,磁场越弱,电压越。霍尔电压值很小,通常只有几个毫伏,但经集成电路中的放大器放大,就能使该电压放大到足以输出较强的信号。若使霍尔集成电路起传感作用,需要用机械的方法来改变磁场强度。下图所示的方法是用一个转动的叶轮作为控制磁通量的开关,当叶轮叶片处于磁铁和霍尔集成电路之间的气隙中时,磁场偏离集成片,霍尔电压消失。这样,霍尔集成电路的输出电压的变化,就能表示出叶轮驱动轴的某一位置,利用这一工作原理,可将霍尔集成电路片用作用点火正时传感器。霍尔效应传感器属于被动型传感器,它要有外加电源才能工作,这一特点使它能检测转速的运转情况。
霍尔效应传感器

1-霍尔半导体元件2-*磁铁3-挡隔磁力线的叶片

类型电容式接近开关模拟式接近开关霍尔开关系列HC-M18H-M18HR-M12外观外形尺寸M18*70M18*55M12*53约定距离Sn8mm8mm4mm体型号直流二线式HC-M18-N8TOH-M18-N8TOHR-M12-N4TOHC-M18-N8TCH-M18-N8TCHR-M12-N4TC直流三线式NPNHC-M18-N8NOH-M18-N8NOHR-M12-N4NOHC-M18-N8NCH-M18-N8NCHR-M12-N4NCPNPHC-M18-N8POH-M18-N8POHR-M12-N4POHC-M18-N8PCH-M18-N8PCHR-M12-N4PC交流二线式HC-M18-N8AOHR-M12-N4AOHC-M18-N8ACHR-M12-N4AC检测距离0-8mm0-8mm视磁场强弱而定检测体铁、非铁铁18×18×1mm磁铁zui响应频率(HZ)C:500 AC 2 202K回差Sn的10%以下Sn的50%以下电源电压C:10-30V 
AC:90-250V
15-30V C:10-30V AC 2 90-250V负载能力≤150mA0-5V、0-10V、4-20mA≤150mA压降C二线:≤6V C三线:≤1V AC二线:≤10V漏电流C二线:≤1mA C三线:≤0.5mA AC二线:≤1mA保护方式极性反接保护环境温度-25℃ - +70℃ IP67外壳材料塑料、黄铜

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