高电平霍尔传感器

NJK5002C高电平霍尔传感器

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湖北杭荣电气有限公司是一家主要从事接近开关、光电开关、Hall IC霍尔开关、霍尔元件、两级跑偏开关、双向拉绳开关、速度监测器、皮带打滑开关、阻旋料位、皮带纵向撕裂开关、矿用磁性井筒开关、倾斜开关，溜槽堵塞、声光器、限位开关、行程开关、电梯开关、电梯称重传感器，防爆电磁阀线圈、齿轮传感器、耐温无源反馈传感器、冷热金属传感器、速度旋转监测传感器,速度传感器、接近传感器、光电传感器、无触点磁性开关、防爆磁性接近开关、皮带输送装置控制柜，等工控电器，集研发、试制；霍尔元件的结构及工作原理

霍尔元件的结构及工作原理

霍尔元件是根据霍尔效应进行磁电转换的磁敏元件，其典型的工作原理图如图所示。霍尔元件是一个N型半导体薄片，若在其相对两侧通以控制电流I，而在薄片垂直方向加以磁场氏 则在半导体另外两侧便会产生一个大小与电流，和磁场B的乘积成工比的电压。这个现象就是霍尔效应，所产生的电压叫霍尔电压UR.

式中:UH---霍尔电压；

RH---霍尔系数；

---霍尔元件的厚度;

I---通过霍尔元件的电流;

B---加在霍尔元件上的磁场磁力线密度;

---元件形状函数，其中L为元件的长度，W为元件的宽度。

从上面的公式可以看出，霍尔电压正比于电流强度和磁场强度，且与霍尔元件的形状有关。在电流强度恒定以及霍尔元件形状确定的条件下，霍尔电压正比于磁场强度。当所加磁场方向改变时，霍尔电压的符号也随之改变因此，霍尔元件可以用来测量磁场的大小及方向。

图:霍尔效应原理图

霍尔元件常采用锗、硅、砷化镓、砷化铟及锑化钢等半导体制作。用锑化铟半导体制成的霍尔元件灵敏度，但受温度的影响较大。用锗半导体制成的霍尔元件，虽然灵敏度较，但它的温度特性及线性度较好。目前使用锑化铟霍尔元件的场合较多。

类型电容式接近开关模拟式接近开关霍尔开关系列HC-M18H-M18HR-M12外观外形尺寸M18*70M18*55M12*53约定距离Sn8mm8mm4mm体型号直流二线式HC-M18-N8TOH-M18-N8TOHR-M12-N4TOHC-M18-N8TCH-M18-N8TCHR-M12-N4TC直流三线式NPNHC-M18-N8NOH-M18-N8NOHR-M12-N4NOHC-M18-N8NCH-M18-N8NCHR-M12-N4NCPNPHC-M18-N8POH-M18-N8POHR-M12-N4POHC-M18-N8PCH-M18-N8PCHR-M12-N4PC交流二线式HC-M18-N8AO–HR-M12-N4AOHC-M18-N8AC–HR-M12-N4AC检测距离0-8mm0-8mm视磁场强弱而定检测体铁、非铁铁18×18×1mm磁铁zui响应频率（HZ）C：500 AC 2 20–2K回差Sn的10%以下–Sn的50%以下电源电压C：10-30V AC：90-250V15-30V C：10-30V AC 2 90-250V负载能力≤150mA0-5V、0-10V、4-20mA≤150mA压降C二线：≤6V C三线：≤1V AC二线：≤10V漏电流C二线：≤1mA C三线：≤0.5mA AC二线：≤1mA保护方式极性反接保护环境温度-25℃ - +70℃ IP67外壳材料塑料、黄铜